Science des matériaux
Utilisation des défauts du diamant comme capteurs en conditions extrêmes
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La magnétométrie à centre NV du diamant est une technique d'imagerie magnétique bien établie permettant de réaliser des mesures quantitatives et non-perturbatives du champ magnétique avec une résolution allant du micromètre jusqu'au nanométre. Ce mémoire de thèse décrit la mise en place d'expériences de magnétométrie NV dans des conditions expérimentales complexes, encore peu étudiées à l'aide du centre NV du diamant : les températures cryognéiques, les hautes pressions et les matériaux magnétiques fortement aimantés. Notre objectif est de repousser les limites d'utilisation de cette technique afin d'étendre la gamme des matériaux pouvant être étudiés. Après avoir présenté les propriétés physiques du centre NV dans le premier chapitre, nous appliquerons, dans le chapitre 2, la magnétométrie NV à des expériences à basse température (4 kelvins) avec l'étude du semiconducteur ferromagnétique GaMnAsP. Nous avons ainsi mesuré l'homogénéité des propriétés magnétiques d'un film mince de GaMnAsP. Les résultats présentés dans le chapitre 3 montrent qu'il est également possible de dépasser la limite aux champs forts (quelques mT) qui restreint les applications de la magnétométrie NV. Le protocole mis en place sur le matériau magnétique multicouche [Ir,Co,Pt](14) permet de mesurer la morphologie des structures magnétiques, même dans ce régime de forts champs. Enfin, le chapitre 4 décrit des expériences de magnétométrie NV à haute pression grâce à l'utilisation de la cellule à enclumes de diamant. Nous avons en particulier étudié l'évolution des niveaux d'énergie du centre NV en fonction de la pression grâce à la mesure de son spectre de luminescence. Cette étude a été ensuite étendue à d'autres centres colorés du diamant : les centres SiV et GeV. Ces expériences permettent de comprendre l'effet des contraintes sur les propriétés de ces défauts ponctuels, avec de nombreuses applications tant pour les centres NV, que pour les centres SiV et GeV.