Publié Génie des procédés Perfect preferential orientation of nitrogen-vacancy defects in a synthetic diamond sample Publié le 17 mars 2014 - Applied Physics Letters Auteurs : M. Lesik, J.-P. Tetienne, A. Tallaire, J. Achard, V. Mille, A. Gicquel, J.-F. Roch, V. Jacques Voir la publication sur HAL DOI Precedent Retour à la liste Suivant